籠型框架 POSS的籠型框架結構使得其具有良好的介電性和光學性能

POSS是由Si-O交替連接的硅氧骨架組成的無機內核，其形狀如同一個“籠子”，故得名為籠型聚倍半硅氧烷，其三維尺寸在1.3nm之間，其中Si原子之間的距離為0.5nm，R基團之間距離為1.5nm，屬于納米化合物。

籠型框架 POSS的籠型框架結構使得其具有良好的介電性和光學性能，在增韌方面，POSS納米粒子能終止微裂紋的發展，并能引發銀紋或者剪切帶或者分子鏈重新排列，“籠子”的彈性能夠起到類似“彈珠”的作用。 無機內核 Si-O交替連接的硅氧骨架組成的無機內核，能聚合物分子的鏈運動而賦予雜化材料良好的熱穩定性、力學性能和阻燃性。Si-O鍵能為445.2KJ/mol，相比之下C-C鍵能為350.7KJ/mol，C-O鍵能為359.1KJ/mol，因此要想破壞POSS內核中的鍵所需能量較大。

納米尺度 POSS的三維尺寸均處于納米尺度范圍內，是**的納米化合物，具備有納米粒子小尺寸效應，表面與界面效應，量子尺寸效應，宏觀量子隧道效應，從而具備較強綜合性能。 R基多變 POSS在聚合物中的應用主要取決于R基，R基可以為反應性的基團，如烯基、環氧基、氨基等等，可以通過反應性的R基來與聚合物之間發生接枝或者聚合反應，從而產生聚合物之間化學鍵合作用，引入POSS基，實現分子層上的均勻分散，提高聚合物性能。當R基為惰性基團，如烷基、亞烴基、芳基等等，可以調節POSS納米結構與聚合物之間的相容性。

合成路線展示.

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