二硫化鉬（MoS2）構建柔性透明電子器件

原子薄二硫化鉬（MoS2）具有優(yōu)良的機械、光學和電學性能，是一種很有前途的集成柔性電子器件半導體材料。然而，大規(guī)模高密度、高性能的MoS2基柔性集成電路的制備仍然是一個挑戰(zhàn)。在這里，我們報告了用四英寸晶圓規(guī)模的MoS2單分子膜在柔性襯底上制造基于MoS2的透明晶體管和邏輯電路。

方法

使用改進的化學氣相沉積工藝來生長具有大晶粒尺寸的晶圓級單分子膜和金/鈦/金電極，以產(chǎn)生低至2.9?kΩ?μm?1的接觸電阻。場效應晶體管具有高器件密度（每平方厘米1518個晶體管）和成品率（97%），具有高的開關比（1010）、電流密度（~35?μa?μm?1）、流動性（~55?cm2?V?1?s?1）和靈活性。我們還使用這種方法來創(chuàng)建各種靈活的集成邏輯電路：反相器、NOR門、與非門、與非門、靜態(tài)隨機存取存儲器和五級環(huán)形振蕩器。

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