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砷化鎵(GaAs)單晶基片 <100>取向
發布時間:2022-04-28     作者:ysl   分享到:

砷化鎵是一種重要的半導體材料。 屬皿- V族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小,導熱性差,不適宜制作大功率器件。

砷化鎵(GaAs)單晶基片

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產地 :西安

純度:99%

溫馨提示:僅用于科研,不能用于人體實驗!

小編:ysl2022.04.28


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