砷化銦是由銦和砷構(gòu)成的Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體材料。InAs是一種難于純化的半導(dǎo)體材料。非摻In．As單晶的剩余載流子濃度高于l×10/cm，室溫電子遷移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴遷移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的**分凝系數(shù)接近1，故用作n型摻雜劑，以提高縱向載流子濃度分布的均勻性。工業(yè)用的InAs(s)單晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

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產(chǎn)地 ：西安

純度：99%

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實驗！

小編：ysl2022.04.28