砷化銦是由銦和砷構成的Ⅲ一V族化合物半導體材料。InAs是一種難于純化的半導體材料。非摻In．As單晶的剩余載流子濃度高于l×10/cm，室溫電子遷移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴遷移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的**分凝系數接近1，故用作n型摻雜劑，以提高縱向載流子濃度分布的均勻性。工業用的InAs(s)單晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

相關產品

二硫化鈮晶體 NbS2

硫化鉍 Bi2S3

二硫化鉬晶體（合成/2H）

硫鹽礦物晶體（99.995%）

二硫化鉬錸晶體 MoReS?

二硫化鎢晶體（99.995%）

二硫化鈦晶體（99.995%）

二硫化鉭晶體(2H/99.995%)

二硫化鉭晶體(1T/99.995%)

西安齊岳生物科技有限公司可以提供各種二維晶體材料以及晶體基片，如HfTe2 碲化鉿晶體、HfSe2 硒化鉿晶體、HfS2 硫化鉿晶體、GeSe 硒化鍺晶體、GaTe晶體、GaSe 硒化鎵晶體、Fe3GeTe2晶體、CuS 晶體、CdI2晶體>10平方毫米、BiTe晶體、BiSe 晶體、硫化鉍 Bi2S3 晶體、Bi2O2Te 晶體、AgCrSe2晶體、hBN 六方氮化硼晶體等等;  我們提供的產品僅僅用于科研,不能用于臨床,也提供二維晶體粉末材料.  

產地 ：西安

純度：99%

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實驗！

小編：ysl2022.04.28