提出了在TiO2納米管(TNT)陣列形成前引入Pt納米粒子(NPs)作為摻雜劑的預(yù)摻雜方法。本方法旨在用Pt納米粒子(Pt/TNT)裝飾TNT陣列薄膜，**地避免了后摻雜法貴金屬粒子堵塞納米管頂部的問(wèn)題。

將Pt、Ti薄膜連續(xù)磁控濺射到FTO基底上，將雙Pt/Ti金屬薄膜陽(yáng)極氧化制備Pt/TNT陣列薄膜。

采用x射線(xiàn)衍射、x射線(xiàn)光電子能譜、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡等手段表征了Pt/TNT納米管陣列的微觀結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)位于Ti薄膜底部的Pt NPs經(jīng)過(guò)陽(yáng)極氧化和退火后可以擴(kuò)散到TNT納米管陣列的上部。

Pt/TNT電極的光電性能優(yōu)于TNT電極，其光電流值是純TNT電極的兩倍以上。

因此，該預(yù)摻雜方法對(duì)于制備高光催化效率的Pt/TNT電極是可行和**的。

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