采用低溫水熱法在藍(lán)寶石/p-GaN薄膜模板上生長(zhǎng)了ZnO、ga摻雜ZnO (GZO)、in摻雜ZnO (IZO)和Ga-In共摻雜ZnO (GIZO)納米線陣列，制備了自供電的p-GaN/n-ZnO異質(zhì)結(jié)紫外探測(cè)器。

作者調(diào)查了Ga的影響或單摻雜和Ga-In提出微觀結(jié)構(gòu)特性和光學(xué)特性的熱液地合成氧化鋅納米線和光敏特性進(jìn)行了比較研究和光電的響應(yīng)性能的四種pn異質(zhì)結(jié)紫外探測(cè)器。

x射線衍射(XRD)測(cè)試表明，合成的zno基納米線陣列具有單相六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，并沿(002)面有擇優(yōu)取向。掃描電子顯微鏡(SEM)觀察表明，摻雜劑的種類對(duì)納米線的形貌和平均直徑有一定的影響。zno基納米線的平均直徑為61 ~ 101 nm。室溫光致發(fā)光(PL)光譜表明，合成的zno納米線具有較高的結(jié)晶質(zhì)量。

基于p-GaN薄膜/n-ZnO納米線陣列的異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的電流-電壓(I-V)曲線在黑暗和紫外光照下均具有整流特性。在紫外照射下，GIZO器件在5 V偏壓下具有**的光敏特性。

在5 V偏壓下，光暗電流比接近6.0，開關(guān)電壓低于1.8 V。與單摻雜和未摻雜ZnO器件相比，p-GaN/n-GIZO異質(zhì)結(jié)紫外探測(cè)器在零偏置電壓下實(shí)現(xiàn)了**的光響應(yīng)性能。

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