在雙軸拉伸應變為0% ~ 5%的條件下，基于密度泛函理論系統計算了摻鐵二維GaN的形成能、能帶結構、介電函數、吸收系數、反射率系數和損耗函數，并詳細分析了帶隙變化的機理。

結果表明，隨著雙軸拉伸應變的增大，Fe-N和Ga-N的鍵長呈線性增加，帶隙呈二次變化。結果表明，二維GaN: Fe是一種直接帶隙半導體，其帶隙類型不受雙軸拉伸應變的影響。

未應變2D GaN: Fe的靜態介電常數為28.6，隨著雙軸拉伸應變的增加，2D GaN: Fe的介電常數增大，導致2D GaN的電荷存儲容量:隨著應變的增大，Fe增強，寄生電容增大，吸收系數、折射率和損耗函數的峰值增大，表明雙軸拉伸應變會嚴重影響二維GaN: Fe的光學性能。

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