基于**性原理計算，我們研究了PtSe2單層、Janus XPtY (X, y雙鍵，Se, Te, X≠Y)單層和h-BN單層的結構穩定性以及PtSe2 (XPtY)/BN van der Waals異質結構(vdWHs)的電子和光學性質。

結果表明，SePtS/BN vdWH呈現獨特的ii型譜帶排列。通過外加電場(E-field)，可以將所有vdwh的帶對準調制為i型、ii型和iii型。

有趣的是，TePtS/BN vdWH對e場更敏感，可以通過應用小范圍的e場(~ 0.10 V/?)實現三種類型的波段排列。

此外，PtSe2 (XPtY)單分子膜及其與BN單分子膜的vdWHs具有較寬的紫外、可見光和紅外光吸收范圍，吸收峰可達105數量級。結果表明，PtSe2 (XPtY)/BN vdWHs在光電探測器和納米電子器件領域具有廣闊的應用前景。

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