采用低溫溶劑熱法制備了平均粒徑為4.4 nm的ZnO量子點(diǎn)。

以ZnO QD溶液為原料，采用旋轉(zhuǎn)鍍膜技術(shù)制備了光電材料ZnO QD薄膜，并分別在250、350和450℃退火。隨著退火溫度升高至450℃，ZnO的平均晶粒尺寸和能帶隙分別由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和減小。

光致發(fā)光分析表明，包覆光電材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;這些缺陷在溫度升高到350和450°C時減少。

薄膜的光電性能受晶粒尺寸和薄膜中缺陷的影響較大。隨著溫度升高到450℃，光暗電流比(PDCR)從3723降低到371%，而響應(yīng)率從1.25增加到218 mA/W。

as涂層和250°c退火的薄膜由于其更大的表面與體積比，在PDCR、上升時間和下降時間方面具有更好的光響應(yīng)，使其成為鈣鈦礦太陽能電池中的電子傳輸層。

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