利用**性原理研究了本征型光電材料TiO2和不同(Nb, N)共摻雜摩爾比下的單元電池結構、缺陷形成能和光電性能。

**，計算和分析了本征光電材料TiO2和各摻雜體系的晶體結構和缺陷形成能。

發現隨著Nb摻雜量的增加，單位胞體體積和形成能也增加，但在富氧環境下更容易形成缺陷。

然后，計算分析了本征光電材料TiO2和各摻雜體系的電子結構、密度狀態和光電性質。

發現Nb使費米能級進入導帶(Nb, N) co-doped二氧化鈦,Nb內容的增加使其形成一個N型半導體電子濃度較高,和N**的影響減少了禁帶寬度和增加光吸收系數。

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