在單個芯片上實現多個器件的垂直單片集成已經成為克服材料和物理性能的基本限制的一種有前途的方法，通過集成解決方案，提供了利用其互補物理特性的獨特機會，以**提高器件性能。

在此，我們設計了一種深紫外發光二極管(DUV LED)，并集成了由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)結構組成的乘性光電轉換器(MPC)，以誘導電光轉換，從而大大提高空穴注入效率。

這種p-i-n GaN結構**通過吸收DUV光，然后產生電子空穴對，起到空穴倍增器的作用。

在p-i-n GaN結構中，新生成的電子-空穴對**被電場分開，使多個空穴被驅動到多個量子阱中，**促進了輻射復合，從而實現了21.6%的高壁塞效率(WPE)。

與傳統的DUV led相比，WPE增強了60倍。本文所演示的單片集成策略為開發**發光器件提供了思路。

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西安齊岳生物科技有限公司是國內光電材料，納米材料，聚合物；化學試劑供應商；**于科研試劑的研發生產銷售。供應有機發光材料（聚集誘導發光材料）和發光探針（磷脂探針和酶探針）、碳量子點、金屬納米簇；嵌段共聚物等一系列產品。sjl2022/02/11