無機半導體異質結由于其界面現象而引起了廣泛的技術應用關注。

采用傳統的熔體淬火方法，合成了具有相似禁帶寬度的原位合成Sb2Se3/NaSbSe2異質結的硒化復合材料。

研究了不同NaSbSe2含量下復合材料的顯微結構和光電性能。

研究表明，NaSbSe2含量通過改變異質結尺寸和晶界電阻直接影響復合材料的光電性能，掃描電子顯微鏡和阻抗譜分別證明了這一點。

在-1.5 V的偏置電壓和7 mW/cm2的照明下，2.5 mol% NaSbSe2和5 mol% NaSbSe2的Sb2Se3光電流密度比純Sb2Se3大約180倍，這是由于光生載流子通過界面電場的**分離。

此外，復合材料在0.5 M LiClO4水溶液中也表現出**的穩定性。

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