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光電材料|UDP 糖| 卟啉 |硅負載ZnO的光電性能研究

發布時間：2022-01-25 作者：光電材料分享到：

由Si擴散到ZnO薄膜引起的。

基于實驗結果構建了不同的Si支撐ZnO模型，研究了其光電特性，

數值研究表明，ZnO:Si、ZnO:Si-int和ZnO- vo的費米能級均移動到導帶最小值，這說明它們有利于n型半導體的發展。

ZnO-Si-int的介電函數向較低的能量方向移動(紅移)，其電導率在3eV ~ 7eV范圍內較高，

在300 nm以上的波長范圍內吸收和反射率都較高;

而ZnO:Si的光學性能較差，說明Si在ZnO薄膜中的擴散導致了Si/ZnO異質結光電性能的退化。

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