結(jié)合元素分析和1H-NMR的結(jié)構(gòu)分析表明，溶劑萃取技術(shù)成功地得到了不同大小的芳香體系的餾分。

從提取的碳質(zhì)材料的吸收光譜中計算出的光學(xué)帶隙與芳香分子大小有很強的相關(guān)性。

采用吡啶溶液旋涂技術(shù)制備了材料與n型硅之間的結(jié)。

在紅外光(λ = 940 nm)下進(jìn)行光電流測量。

以下結(jié)果:

(1)光電流取決于提取碳質(zhì)膜的厚度n-Si襯底,

(2)連接的更緊密的光學(xué)帶隙能量的光子能量顯示大的光電流,

(3)沒有發(fā)現(xiàn)光電流的連接由硅端氫氟酸。

光載流子的產(chǎn)生發(fā)生在薄膜和n-Si襯底之間的界面附近。

碳質(zhì)薄膜/氧化物/n-Si對這些結(jié)的光響應(yīng)至關(guān)重要。

溶劑萃取技術(shù)是制備具有合適電子性能的碳基材料的一種很有前途的方法。

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