采用一種簡單的方法，成功地制備了以Zn0·1Cd0·9S、n摻雜石墨烯量子點(N-GQDs)和石墨烯為基體的異質結構材料。通過各種分析來確定合成復合材料的結構、形態和材料性能。結果表明:Zn0·1Cd0·9S/N-GQDs/石墨烯異質結構在365 nm和405 nm光照下具有良好的光電性能，光電流分別為4.43 × 10?5 a /cm2和3.43 × 10?5 a /cm2。與空白Zn0·1Cd0.9S相比，其光電流增強了2倍。這一**的改善歸因于N-GQDs作為光敏劑，增強了吸收能力的機制。同時，石墨烯作為載流子遷移襯底，促進了光生電子-空穴對的分離。Zn0·1Cd0·9S、N-GQDs和石墨烯的協同作用增強了其光電性能。Zn0·1Cd0·9S/N-GQDs/石墨烯異質結構為提高半導體在紫外-可見光下的光電性能提供了一條新的途徑。

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