采用基于密度泛函理論的原理贗勢法研究了類石墨烯結構SixC1?x (x = 0.02, 0.08, 0.2, 0.4, 0.5)的結構穩定性、幾何結構、電子結構、變形電荷密度、原子軌道和鍵居數以及光學性質。幾何結構結果表明，取代硅原子誘導石墨烯平面上沿方向的結構變形，而不產生任何屈曲。內聚能計算表明，這些取代體系是絕對穩定的。純石墨烯形成零帶隙半導體，費米能附近的態密度主要由C-2p組成。當Si摻雜時，在布里淵區K點出現了直接帶隙。隨著Si含量的增加，帶隙從0.15 eV增大到2.60 eV。費米能附近Si0.50C0.50的態密度主要由C-2p和Si-3p組成。用Si原子取代C原子后，電荷從Si原子轉移到C原子，c單鍵dc的共價鍵減弱，破壞了石墨烯共價鍵的對稱性，這對于在K點出現直接帶隙非常重要。隨著Si含量的增加，SixC1?x (x = 0.02, 0.08, 0.2, 0.4, 0.5)的光學特性曲線均向高能方向移動。在所有研究的SixC1?x體系中，Si0.50C0.50的靜態介電常數**為1.60，折射率**為1.26，吸收系數最高為6.79 × 104 cm?1。研究結果對單層碳化硅的設計和應用具有一定的理論指導意義。

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