二維范德華異質結構的制備是提高二維材料光電性能的**策略，為光電化學器件中光電陽極材料的設計提供了新的可能性。

采用液相剝離法和真空過濾法制備了過渡金屬二鹵代化物MoS2/WSe2異質結光電電極。

線性掃描伏安法、瞬態光電流和開路電位測量表明，異質結光電電極具有增強的光電流強度和改善的光響應活性。

此外，Nyquist阻抗圖、Bode相位圖和Mott-Schottky測量結果表明，異質結樣品比MoS2和WSe2具有更高的電荷轉移速率和更長的電荷壽命。

為了揭示機理，利用x射線光電子能譜和**性原理計算建立了MoS2/WSe2異質結樣品的能帶排列。

因此，異質結光電陽極PEC性能的改善歸因于MoS2和WSe2納米片之間的內置電場，促進了光電產生的e-h對分離，**了它們的復合。

本工作驗證了MoS2/WSe2異質結光電電極的PEC機理，對基于TMD異質結構的PEC器件的設計具有重要意義。

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