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光電材料|降解過(guò)程對(duì)CsPbBr3單晶發(fā)光和光電性能的影響
發(fā)布時(shí)間:2022-01-18     作者:光電材料   分享到:

采用垂直Bridgman-Stockbarger法研究了CsPbBr3單晶在大氣濕度、電流通道和紫外輻射影響下的降解過(guò)程。

根據(jù)發(fā)光和光電測(cè)試結(jié)果,觀察到CsPbBr3晶體降解過(guò)程中CsPb2Br5和Cs4PbBr6相的形成。

通過(guò)光擴(kuò)散電流的光譜測(cè)量,確定了本征結(jié)構(gòu)缺陷VBr和(VBr + e)在CsPbBr3晶體禁帶中的能級(jí)位置和缺陷濃度的變化。

假定在電流通過(guò)的降解過(guò)程中,晶體的變暗是由于鉛金屬相的形成。

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