非揮發(fā)性有機場效應(yīng)晶體管(OFET)光電材料存儲器由于其特殊的光電存儲機制和應(yīng)用領(lǐng)域。

圖像捕獲和光信息存儲等，引起了人們的廣泛關(guān)注。

遺憾的是，傳統(tǒng)的浮閘和隧道層兩步制備方法復(fù)雜，不利于大面積制備。

一種鈣鈦礦量子點(QDs)嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作為電荷捕獲層的非易失性O(shè)FET光電材料存儲器。

在光或光電編程操作和電擦除操作期間，光電存儲器能**地積累和釋放光產(chǎn)生的載流子。

采用浮動?xùn)藕退淼缹觾刹椒ㄖ苽涞墓怆姶鎯ζ鞯拇鎯μ匦钥膳c傳統(tǒng)存儲器相媲美。

此外，該記憶裝置在暴露于空氣中兩周后仍具有良好的保留時間和耐久性能。

因此，采用量子點/PMMA復(fù)合光電材料作為電荷捕獲層的存儲器在光電器件中顯示出巨大的應(yīng)用潛力。

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