提出了一種用于光電材料的光電轉換傳感器件的深勢壘硅結構的創新應用。

詳細分析了光伏換能器實現對水溶液中表面活性劑覆蓋的金屬和半導體單壁碳納米管進行識別的主要可能性。

用局域靜電對光電材料硅表面復合中心參數的影響定性地解釋了所得結果。

這種影響可能與表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)在納米管表面吸附分子的偶極矩有關。

此外，在光電材料硅表面缺陷附近會出現帶電碎片的空間構型。

碳納米管識別的另一個可能原因是由于金屬和半導體納米管的極化率不同。

這些結果在史蒂文森-凱斯的理論框架內得到了解釋。

研究結果可作為控制和選擇不同導電性碳納米管的依據。

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