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光電材料|利用光電方法識(shí)別金屬和半導(dǎo)體單壁碳納米管
發(fā)布時(shí)間:2022-01-11     作者:光電材料   分享到:

提出了一種用于光電材料的光電轉(zhuǎn)換傳感器件的深勢(shì)壘硅結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新應(yīng)用。

詳細(xì)分析了光伏換能器實(shí)現(xiàn)對(duì)水溶液中表面活性劑覆蓋的金屬和半導(dǎo)體單壁碳納米管進(jìn)行識(shí)別的主要可能性。

用局域靜電對(duì)光電材料硅表面復(fù)合中心參數(shù)的影響定性地解釋了所得結(jié)果。

這種影響可能與表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)在納米管表面吸附分子的偶極矩有關(guān)。

此外,在光電材料硅表面缺陷附近會(huì)出現(xiàn)帶電碎片的空間構(gòu)型。

碳納米管識(shí)別的另一個(gè)可能原因是由于金屬和半導(dǎo)體納米管的極化率不同。

這些結(jié)果在史蒂文森-凱斯的理論框架內(nèi)得到了解釋。

研究結(jié)果可作為控制和選擇不同導(dǎo)電性碳納米管的依據(jù)。

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