近年來(lái),多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)由于其特有的納米籠狀結(jié)構(gòu)在材料領(lǐng)域引起了關(guān)注, OA-POSS分子結(jié)構(gòu)中具有的氨基基團(tuán)(-NH2) 經(jīng)過(guò)生物偶聯(lián)劑活化后可以與表面帶負(fù)電基團(tuán)( 如羧基-COOH)的量子點(diǎn)以共價(jià)鍵相連,從而修飾于量子點(diǎn)表面,增加量子點(diǎn)的生物相容性。這種方法合成過(guò)程簡(jiǎn)單,且制備的量子點(diǎn)仍然可以保持較小的尺寸,有利于其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用。
本文,我們以OA-POSS作為表面修飾劑合成了具有高生物相容性、光穩(wěn)定性強(qiáng)的近紅外發(fā)光的CdSeTe量子點(diǎn),并將其成功應(yīng)用于細(xì)胞標(biāo)記研究。激光共聚焦熒光圖片表明POSS-CdSeTe量子點(diǎn)確實(shí)可以進(jìn)入細(xì)胞進(jìn)而實(shí)現(xiàn)細(xì)胞標(biāo)記應(yīng)用。
我們將一 定量的偶聯(lián)劑EDC加入到CdSeTe量子點(diǎn)溶液中攪拌30 min后,加入OA-POSS溶液后室溫?cái)嚢?/span>4 h,其中CdSeTe. EDC、OA-POSS的摩爾比為固定值1:5000:10。 反應(yīng)結(jié)束后,將量子點(diǎn)按照5.2.2 中的方法提純。經(jīng)OA-POSS修飾前后的量子點(diǎn)分別記為CdSeTe量子點(diǎn)和POSS-CdSeTe量子點(diǎn)。
我們利用透射電子硅微鏡(TEM)求評(píng)價(jià)POSS-CdSeTeL量子點(diǎn)的尺寸和形貌,熒光發(fā)射波長(zhǎng)在681nm處的POSS-CdSeTeL呈均勻分散的近球形, 粒度分癤比較均一, 約為4.3nm.
OA-POSS修飾近紅外發(fā)光CdSeTe量子點(diǎn)細(xì)胞標(biāo)記研究
利用激光共聚焦熒光成像研究量子點(diǎn)對(duì)細(xì)胞的標(biāo)記成像。染色后的細(xì)胞用Olympus FV300激光共聚焦系統(tǒng)輔以40x水鏡(NA-1.25)掃描成像,光電倍增管采集熒光。微分干涉圖像用488 nm Ar激光掃描,經(jīng)570 nm以上光通道采集紅色熒光信號(hào),SiHa 細(xì)胞在60 μg/mL的濃度下孵育24 h后進(jìn)行細(xì)胞成像。
OA-POSS修飾近紅外發(fā)光CdSeTe量子點(diǎn)的光穩(wěn)定性和穩(wěn)定性測(cè)試
我們對(duì)POSS-CdSeTe量子點(diǎn)進(jìn)行了光穩(wěn)定性研究。為了測(cè)試POSS-CdSeTe量子點(diǎn)的光穩(wěn)定性,將量子點(diǎn)溶液置于高功率紫外燈下連續(xù)輻照2h,間隔-定時(shí)間測(cè)試并記錄量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜強(qiáng)度,如下圖所示,經(jīng)過(guò)2 h的紫外光輻射后,POSS-CdSeTe 量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度有輕微的下降,但依然保持著非常高的熒光強(qiáng)度,2 h輻照后的量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度為初始強(qiáng)度的93%。
POSS種類繁多,其具體區(qū)別主要依據(jù)R基的種類和個(gè)數(shù),因此其應(yīng)用范圍較廣,名稱也是根據(jù)R基的不同的取名,例如當(dāng)R基為乙烯基、氨基、苯基時(shí)可分別稱之為乙烯基POSS、氨基POSS和苯基POSS等等。西安齊岳生物供應(yīng)的poss主要有: 甲基poss、乙基poss、 乙烯基poss、 苯基poss、 烯丙基poss和含氫poss等。
八辛基籠狀聚倍半硅氧烷
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八十二烷基籠狀聚倍半硅氧烷
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八環(huán)氧環(huán)己基乙基籠狀聚倍半硅氧
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八苯胺丙基籠狀聚倍半硅氧烷
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丙烯酰氧丙基籠型聚倍半硅氧烷
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