近紅外二區（PbS）量子點光電探測廣泛應用于成像、通信和生物傳感等領域。市場上的光電探測器主要是基于硅材料和其他III–V族半導體材料，但是這些材料面臨著成本高，不易柔性化等問題。PbS量子點具有帶隙可調范圍寬（0.6~1.6 eV）、摩爾吸光系數高（106 M-1 cm-1），制備工藝簡單以及穩定性好等優點，因此被認為是新一代柔性光電探測器的優秀候選材料。現有的單層PbS量子點光電探測器面臨著漏電流大、開關比低、響應速度慢等問題。也有報道將金屬納米粒子、有機材料和石墨烯等材料與PbS量子點結合，形成雜化型光電探測器件，此類方法**地增強了器件的響應度，但也帶來了非常高的暗電流等問題，使得器件的性能無法全面提升。因此，如何克服單層PbS量子點和雜化PbS量子點光電探測器面臨的問題是一個亟待解決的問題。

PbS量子點的TEM表征圖、吸收譜、UPS、以及能級分布

紅外二區（PbS）量子點圖譜

(a) 油酸修飾過的PbS量子點的TEM圖；

(b) 原始油酸修飾的PbS量子點、PbS-TBAI量子點和PbS-EDT量子點的吸收譜；

(c) PbS-TBAI量子點薄膜的紫外光電子能譜（UPS），插圖為二次電子截止區放大圖；

(d) PbS-EDT量子點薄膜的紫外光電子能譜（UPS），插圖為二次電子截止區放大圖；

(e) PbS-TBAI和PbS-EDT的能級分布圖，虛線為費米能級，上邊實線為導帶底下邊實線為價帶頂。

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