SIC納米線 碳化硅納米線 SiC晶須 直徑D 100-500nm，長(zhǎng)度50-100um，純度99+,灰綠色

SiC納米線（SiC nanowires）介紹

SiC納米線（SiC nanowires）又稱為SiC晶須（SiC whiskers）或者SiC短纖維（SiC fiber），具有超高強(qiáng)度、硬度的納米一維材料，可增強(qiáng)改性陶瓷基、金屬基、樹脂基復(fù)合材料。在半導(dǎo)體、電子器件領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。

本公司提供高品質(zhì)、高純度SiC納米線、SiC晶須。質(zhì)量保證，

1.碳化硅納米線物理特性：

為立方晶型，和金剛石同屬一種晶型，是一種高強(qiáng)度胡須狀的一維單晶體，具有高強(qiáng)，高模等諸多優(yōu)良的機(jī)械性能。是較好的增強(qiáng)增韌材料之一。

2.碳化硅納米線化學(xué)特性：

抗磨，耐高溫，特別耐熱震，耐腐蝕，耐輻射。

近年來的市場(chǎng)反饋表明：微米級(jí)SiC碳化硅晶須做為增強(qiáng)陶瓷基、金屬基和聚合物基復(fù)合材料，這些復(fù)合材料均表現(xiàn)出良好的機(jī)械性能，可以想象用強(qiáng)度硬度更高及長(zhǎng)徑比更大的SiC一維納米材料碳化硅納米線作為復(fù)合材料的增強(qiáng)相，將會(huì)使其性能得到進(jìn)一步增強(qiáng)。SiC一維納米材料具有 閾值場(chǎng)強(qiáng)低，電流密度大，高溫穩(wěn)定性好等**特點(diǎn)，可望作為電場(chǎng)發(fā)射材料，利用這一特性可制成第三代新型電子光源，并將在圖像顯示技術(shù)方面發(fā)揮巨大作用。隨著研究的深入，還發(fā)現(xiàn)一維SiC納米線在儲(chǔ)氫、光催化和傳感等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。

以上資料來自西安齊岳生物小編zhn2021.05.25