嵌入超低含量ZnO量子點的納米片狀多孔碳ZnOQDs@C復合材料的制備
報道了一種嵌入超低含量ZnO量子點的納米片狀多孔碳作為高性能鋰電池負極材料。測試結果表明,ZnOQDs@C顯示出超高的比容量,0.2 A g-1電流密度下的放電比容量高達到2300 mAh g-1;5 A g-1條件下循環3000圈依然有700 mAh g-1的比容量,而具有較高ZnO含量的ZnO@C復合材料和無ZnO的純活性碳材料均無法達到這樣的**性能。分析表明,超大比表面積和微含量ZnO QDs摻雜的協同效應共同提升了ZnOQDs@C材料的電化學性能。
ZnOQDs@C復合材料的制備
以乙酰丙酮鋅為原料,當將其加入乙二醇溶液中會發生縮醛反應,釋放出Zn2+。這些Zn2+隨后會與模板劑1,2,3,4-丁烷四羧酸配位,得到含Zn2+的有機配位結構前軀體材料。在高溫煅燒過程中,含Zn2+的官能團生成ZnO,隨后ZnO被C還原為Zn,而Zn又可在高溫下升華,留下大量孔洞,形成了多孔結構。此外,多孔碳材料內還會殘余微量的ZnO量子點,形成ZnOQDs@C復合材料。分別在1000℃、1100℃、1200℃下高溫處理前軀體材料,得到樣品S1000、S1100和S1200。
▲圖1. ZnOQDs@C復合材料的制備流程示意圖。
(A)結構變化示意圖;(B)化學反應原理示意圖。
ZnOQDs@C復合材料的表征分析
SEM圖片顯示S1100為長度約500 nm的納米片狀結構。TEM圖片表明S1100厚度較薄。HRTEM證明了所制備的碳材料為無定型碳,但在無定型結構內部有結晶度較好、大小約5 nm的ZnO QDs存在。這些結果說明S1100材料是由無定型碳和ZnO QDs共同構成的。
▲圖2. S1100的微觀結構特征。
(A-B) S1100的SEM圖像;(C-D) S1100的TEM圖像;(E-F) S1100的HRTEM圖像。
作者隨后對ZnOQDs@C材料進行了定性和定量分析。從XRD圖譜中可知,ZnO的峰強隨著煅燒溫度的升高逐漸減弱,這說明ZnO的含量可通過煅燒溫度進行調控。XPS分析結果表明ZnO的含量隨刻蝕深度的增加逐漸升高。在20nm刻蝕深度下,Zn表現出高達1.58%的原子比,說明ZnO QDs主要分布于復合材料的內部。從氮氣吸脫附等溫曲線可以看出S1100和S1200的比表面積皆大于2000 m2 g-1,而S1000的比表面積相對較小。三個樣品的孔徑大多分布于2nm左右,非常有利于增加贗電容的容量貢獻。通過建立比表面積、Zn含量、溫度三個參數的關系發現,室溫到800℃,材料比表面積緩慢增;800℃到1100℃材料比表面積急劇增加,但伴隨著Zn含量的急劇下降,這證明Zn元素的升華直接導致了材料比表面積的增大,并隨著溫度升高較終趨于穩定。
西安齊岳生物科技有限公司可以合成各種復雜定制類的核殼型熒光量子點產品,我們的產品涉及到各種的多肽、蛋白、多糖修飾的熒光量子點產品,齊岳生物提供產品的熒光量子產率高,質量穩定 ,價格較為便宜 如需要的可以可以直接聯系我們。
定制產品:
ZnO近紫外發射(發射波長380-400nm)
水溶性ZnO量子點
ZnO球形量子點
PMMA修飾氧化鋅ZnO量子點QDs
PVB-ZnO/CdS復合膜納米粒子
ZnO量子點/有機硅納米復合材料
氧化鋅ZnO量子點-環氧樹脂復合材料
ZnO@GQDs核殼結構量子點
ZnO/CdSe@ZnS量子點熒光探針
ZnO/PEMA量子點復合材料
ZnO量子點/氧化石墨烯復合材料
氨基修飾的ZnO量子點(ZnO QDs)
NH2@ZnO QDs
巰基修飾的ZnO量子點(SH-ZnO QDs)
ZnO@(PAA-PEGFA)核/殼納米粒子(量子點為核,聚合物為殼)
3-巰丙基三乙氧基硅烷包覆ZnO量子點
SiO2包覆的水溶性ZnO藍色熒光量子點
SiO2直接包覆的ZnO量子點
ZnO量子點表面修飾巰基乙酸
水溶性熒光氧化鋅量子點(ZnO-QDs)
水相法制備出的Mn:ZnSe量子點
ZnO寬禁帶半導體量子點
室溫高功率激光發射量子點-ZnO
Si02/Si襯底上生長ZnO量子點
藍寶石襯底生長ZnO量子點
拋光Si(001)晶片生長ZnO量子點
水溶性SiO2包覆ZnO的量子點
正硅酸乙酯沉積包覆SiO2的ZnO量子點
CuO表面修飾ZnO量子點
稀土Sm3+摻雜ZnO量子點
小編zhn2021.03.30