光刻膠的組成（含光引發劑、光增感劑、光致產酸劑、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑)

光刻膠是光刻成像的承載介質，其作用是利用光化學反應的原理將光刻系統中經過衍射、濾波后的光信息轉化為化學能量，進而完成掩模圖形的復制。目前，集成電路生產中使用的光刻膠一般由聚合物骨架、光致酸產生劑或光敏化合物、溶劑，以及顯影保護基團、刻蝕保護基團等其他輔助成分組成 。

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人**研究成功的聚乙烯醇肉桂酸酯就是用于印刷工業的，以后才用于電子工業。

光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

中文名：光刻膠

外文名：photoresist

別名：光致抗蝕劑

成分：感光樹脂、增感劑和溶劑

分類：負性膠和正性膠

硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個：光刻膠原理，小孔成像；技術源頭，古老的相機；

（1）將掩模版圖形轉移到硅片表面頂層的光刻膠中；

（2）在后續工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類：

光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。

圖1 正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比

利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型:采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。

光分解型:采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。

光交聯型:采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種**的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。

光刻膠按應用領域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。**市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡，具體占比可以如下圖所示。

目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比**。

中國本土光刻膠企業生產結構.