99精产国品一二三产区,国产无遮挡又黄又爽又色,大地资源电影中文在线观看,久久99精品久久久大学生

I-III-VI族AIS作為直接帶隙的三元硫屬化合物，躍遷過程不需要聲子的參與，具有較高的發光效率。在低溫時形成四方相的黃銅礦結構，帶隙為1.87eV;高溫時形成正交相結構，其帶隙約2.03eV，體材料的激子波爾半徑約為5.5nm。Ag+具有較高的反應活性，在低溫下可通過改變前驅體比例、反應溫度、活性劑用量、摻雜形成固溶體或核殼結構等制備得到粒子半徑<5.5nm，具有不同結構、可見光譜區顏色亮度可調的**熒光AIS系量子點。

AgInS2量子點的制備與二元半導體相比，AIS量子點作為三元半導體材料，其合成制備的可變因素更為豐富。由于Ag+和In3+的反應活性存在很大差異，其與S之間形成的鍵能不一，易產生缺陷，而缺陷對量子點的發光性能有重要的影響。因此，通過控制不同的組分可影響所得量子點的發光性能。同時，由于AIS量子點尺寸僅為幾納米，表現出強的量子限域效應使得其具備尺寸可調諧的光學性質，但同時使其具有很高的比表面積，表面存在大量的懸空鍵和缺陷成為載流子的非輻射躍遷通道，降低了熒光量子效率。其中很重要的改善措施是在量子點表面包裹另一種半導體材料形成核殼結構，殼結構在發光核及外部環境之間提供一個物理屏障，降低了核納米晶的敏感性，從而大幅度提高QYs。

純度：98%

產地：西安

供應商：西安齊岳生物科技有限公司

說明：提供使用說明，核磁圖譜，包裝，價格，產地，制備方法，應用，穩定性，溶解度，簡單合成等各種信息

以上資料來自小編lh2022年4月7日

僅用于用于科研，不能用于人體試驗