SOI 晶體材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22~50μm,埋氧層 0.4~4μm,基底層厚度 100~500μm
SOI 晶體材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22~50μm,埋氧層 0.4~4μm,基底層厚度 100~500μm
貨號 | 規格 | 數量 | 價格 |
---|---|---|---|
Q-0058898 | 100mg |
1
|
詢價 |
Q-0058898 | 250mg |
1
|
詢價 |
Q-0058898 | 500mg |
1
|
詢價 |
Q-0058898 | 1g |
1
|
詢價 |
Q-0058898 | 5g |
1
|
詢價 |
快速訂購/大包裝咨詢
張惠寧銷售經理

業務范圍:AIE材料 | 熒光產品 | MOF產品 | 二維納米 | 糖化學 | 凝集素 | PEG
如該產品產生售后問題,請聯系我們:
產品介紹
SOI是將一薄層硅置于絕緣襯底上。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流,提高開關速度,降低功耗,實現高速、低功耗運行。
外形尺寸
|
4英寸;6英寸;8英寸
|
工藝
|
Smart cut; Bonding; SIMOX
|
類型
|
N/P
|
電阻率
|
可選
|
頂層單晶厚度
|
0.22~50μm
|
埋氧層
|
0.4~4μm
|
基底層厚度
|
100~500μm
|
TTV
|
<3μm
|
Particle
|
<10@0.3μm
|
參數信息 | |
---|---|
外觀狀態: | 固體或粉末 |
質量指標: | 95%+ |
溶解條件: | 有機溶劑/水 |
CAS號: | N/A |
分子量: | N/A |
儲存條件: | -20℃避光保存 |
儲存時間: | 1年 |
運輸條件: | 室溫2周 |
生產廠家: | 西安齊岳生物科技有限公司 |
相關產品
-
西安齊岳生物科技有限公司提供 CVD 二硒化鉬:MoSe2 孤立晶粒 外觀N/A 分子量N/A 僅供科研使用!
-
西安齊岳生物科技有限公司提供 CuxPdy單分散雙金屬納米晶 外觀N/A 分子量N/A 僅供科研使用!
-
磷化銦(InP)晶體基片 提供Sn;S;Fe:Zn摻雜
-
鐵摻雜鈦酸鍶(Fe:SrTiO3)晶體基片