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SOI 晶體材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22~50μm,埋氧層 0.4~4μm,基底層厚度 100~500μm

SOI 晶體材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22~50μm,埋氧層 0.4~4μm,基底層厚度 100~500μm

貨號 規格 數量 價格
Q-0058898 100mg
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業務范圍:AIE材料 | 熒光產品 | MOF產品 | 二維納米 | 糖化學 | 凝集素 | PEG
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產品介紹

SOI是將一薄層硅置于絕緣襯底上。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流,提高開關速度,降低功耗,實現高速、低功耗運行。

外形尺寸
4英寸;6英寸;8英寸
工藝
Smart cut; Bonding; SIMOX 
類型
N/P
電阻率
可選
頂層單晶厚度
0.22~50μm
埋氧層
0.4~4μm
基底層厚度
100~500μm
TTV
<3μm
Particle
<10@0.3μm
參數信息
外觀狀態: 固體或粉末
質量指標: 95%+
溶解條件: 有機溶劑/水
CAS號: N/A
分子量: N/A
儲存條件: -20℃避光保存
儲存時間: 1年
運輸條件: 室溫2周
生產廠家: 西安齊岳生物科技有限公司
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