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鈣鈦礦/P3HT/石墨烯多異質(zhì)結(jié)光電晶體管
發(fā)布時間:2020-10-23     作者:wyf   分享到:

 

鈣鈦礦/P3HT/石墨烯多異質(zhì)結(jié)光電晶體管


有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其出色的光電性能而近來備受關(guān)注。報道了基于CH3NH3PbI3-xClx鈣鈦礦/聚(3-己基噻吩)/石墨烯的多異質(zhì)結(jié)的超敏光電晶體管。由于光激發(fā)的電子和空穴被聚(3-己基噻吩)層**地隔開,因此高密度電子被捕獲在鈣鈦礦層中,從而導(dǎo)致對下面的石墨烯通道的強(qiáng)光誘導(dǎo)浮柵效應(yīng)。該光電晶體管顯示出前所未有的超高響應(yīng)率,約為4.3×10^9 A / W,每個光子的增益分別接近10^10個電子。更重要的是,該器件在從紫外線到近紅外的寬帶波長范圍內(nèi)都很敏感,這是其他鈣鈦礦光電探測器尚未實(shí)現(xiàn)的。預(yù)期新型鈣鈦礦光電晶體管將在未來作為光電檢測和成像設(shè)備找到有前途的應(yīng)用。

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a.帶有P3HT空穴傳輸層的鈣鈦礦/石墨烯垂直異質(zhì)結(jié)光電晶體管的示意圖(左圖)和混合光電晶體管的側(cè)視圖(右圖)。入射光子在鈣鈦礦膜中產(chǎn)生電子-空穴對。然后,由于P3HT的選擇性電荷轉(zhuǎn)移,空穴被轉(zhuǎn)移到石墨烯通道并向著源漂移,而電子仍被捕獲在鈣鈦礦膜中

b. P3HT/石墨烯上,CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦的**平面掃描電鏡圖像

c. P3HT/石墨烯上,CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦的XRD

d. 玻璃上CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦薄膜和CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦/P3HT/石墨烯薄膜的吸收光譜。

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a. CH3NH3PbI3-xClx鈣鈦礦/ P3HT /石墨烯混合光電晶體管的溝道電流在不同照度下與背柵電壓VG的關(guān)系。VDS = 0.1V。對于任何強(qiáng)度,在測量前將設(shè)備照明2分鐘。波長:598nm

b. 狄拉克點(diǎn)VD的偏移與照在光電晶體管上的光的關(guān)系。插圖顯示了光電晶體管在光照下的能帶和電荷轉(zhuǎn)移圖

cd.在不同照明水平下,設(shè)備的(c)光電流和(d)響應(yīng)率(R)作為背柵電壓VG的函數(shù)

 

鈣鈦礦層吸收的光子會產(chǎn)生激子,由于激子結(jié)合能低(35-75meV),因此激子迅速分解成鈣鈦礦中的電子和空穴。由于能量減少,空穴通過P3HT薄膜轉(zhuǎn)移到石墨烯,而電子在鈣鈦礦層中積聚,因?yàn)殁}鈦礦材料的導(dǎo)帶能級遠(yuǎn)低于P3HT的較低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級。因此,P3HT層在分離器件中的電子和空穴方面起著重要的作用,導(dǎo)致鈣鈦礦中積累的高密度電子。累積的電子可以導(dǎo)致**的負(fù)柵極電壓(VG),并通過電容耦合在石墨烯通道中誘導(dǎo)正載流子,這可以看作是光誘導(dǎo)浮柵效應(yīng),并解釋了照明下狄拉克點(diǎn)向正VG的位移。

產(chǎn)品供應(yīng)列表:

P3HT3-己基噻吩的聚合物

共軛聚合物摻雜聚3-己基噻吩(P3HT)的碳微球復(fù)合膜

3-己基噻吩(P3HT)及其衍生物

P3HT有機(jī)薄膜晶體管電子器件

P3HT有機(jī)光伏電池電子器件

(3-己基噻吩)-b-聚十六烷氧基聯(lián)烯-b-聚(3-己基噻吩)(P3HT-b-PHA-b-P3HT)三嵌段聚合物

3-己基噻吩(P3HT)/C60衍生物PCBM的光敏混合聚合物光電導(dǎo)薄膜操控芯片

P3HT及P3HT/PCBM薄膜

P3HT:PCBM的光電導(dǎo)薄膜層/下導(dǎo)電薄膜層

3-己基噻吩/氧化石墨烯復(fù)合材料

3-己基噻吩有序薄膜

3-己基噻吩(P3HT)/GO復(fù)合材料(P3HT-g-GO)

十六烷基胺修飾石墨烯(co—I-IDA)與聚3- 己基噻吩(P3HT)的納米復(fù)合材料

石墨烯表面接枝聚(3-己基噻吩)分子刷材料

3-己基噻吩(P3HT)兩親性嵌段共聚物

聚三己基噻吩(Poly(3-hexylthiophene),P3HT)OTFT器件

3-己基噻吩(P3HT)分層P3HTC_(61)OTFT器件

3-己基噻吩(P3HT)分層C_(61)-P3HTOTFT器件

3-己基噻吩(P3HT)復(fù)合P3HT/C_(61)OTFT器件

3-己基噻吩(P3HT)分層P3HT-還原氧化石墨烯(RGO)OTFT器件

3-己基噻吩(P3HT)復(fù)合P3HT/可溶性并五苯(Tips-pentacene)OTFT器件

ITO/聚3-己基噻吩(ITO/P3HT)膜/TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)復(fù)合膜

3-己基噻吩改性納米二氧化鈦光催化劑

TiO_2/P3HT納米復(fù)合微粒

導(dǎo)電聚合物聚3-己基噻吩(P3HT)

1,3,5-三氯苯(TCB)/氯仿混合P3HT混合溶液

(3-己基噻吩)(P3HT)及含P3HT的嵌段共聚物

多酸/聚3-己基噻吩光伏器件

3-己基噻吩/聚氧化乙烯共混薄膜

碳納米管/聚(3-己基噻吩)復(fù)合物

MWNT-g-P3HT復(fù)合物

3-己基噻吩:碳微球復(fù)合膜

三氯化鐵(FeCl3)作氧化劑合成聚3-己基噻吩(P3HT)

3_己基噻吩/ZnO 微納米球復(fù)合膜

P3HT/ZnO復(fù)合膜

(3-己基噻吩)單分子層納米晶須

TiO_2/聚3-己基噻吩多孔膜

MALDI-TOF MS表征聚(3-己基噻吩)

3-己基噻吩納米線

官能化P3HT與P3HT/CdS納米復(fù)合材料

有機(jī)/無機(jī)太陽能電池的聚(3-己基噻吩)材料

聚噻吩及其衍生物/石墨烯基納米復(fù)合材料

介孔納米TiO_2/P3HT復(fù)合材料

GO-rr-P3HT-CdS三元異質(zhì)結(jié)材料

3-己基噻吩/ZnO微納米球復(fù)合膜

P3HT-TiO_2異質(zhì)結(jié)太陽能電池材料

TiO2/P3HT納米復(fù)合微粒

P3HT/CdSe和P3HT/CuInSe_2雜化納米晶

(3-己基噻吩)二氧化鈦酞菁銅solarcellsP3HTTiO_2CuPc

P3HT-COOH/CdS納米復(fù)合材料

磷酸銀/氮摻雜石墨烯/聚3-己基噻吩復(fù)合光催化劑

全共軛p-n型嵌段共聚物

3-己基噻吩(P3HT-b-PHA-b-P3HT)的三嵌段共聚物

P3HT-MWCNTs光敏性復(fù)合薄膜

羧基改性P3HT及其復(fù)合納米晶

3-己基噻吩-co-吡啶共聚物(P3HT-co-PY)

P3HT/CdSe和P3HT/CuInSe2雜化納米晶

3-己基噻吩聚合物薄膜晶體管

上述產(chǎn)品僅用于科研,不可用于人體實(shí)驗(yàn)!

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