量子點一般是又II-VI族元素，III-V族或者IV族元素組成的（表1-1），直徑在1-100nm么間，能夠接受激發光而產生巧光的半導體納米顆粒。目前研巧較多的量子點有CdSe ,CdTe及CdS等由于量子點的粒徑小于該半導體材料體相的激子玻爾半徑，其金屬費米能級面附近的電子能級會由準連續變為離散，出現半導體連續能帶變成

具有分子特性的分立能級結構及帶隙變寬的現象（圖1-1），稱為量子局限效應。

谷胱甘肽(GSH)修飾的CdTe/CdS量子點(GSH-CdTe/CdSQDs).透射電子顯微鏡表征結果表明,GSH-CdTe/CdSQDs的粒徑分布均勻,分散性好.在Tris-HCl(pH=7.6)緩沖液中,由于靜電引力作用,帶正電的鹽酸洛美沙星(LMFH)-Cu(Ⅱ)配合物[LMFH-Cu(Ⅱ)]吸附到帶負電的GSH-CdTe/CdSQDs表面形成基態復合物,導致GSH-CdTe/CdSQDs的熒光猝滅.

通過對GSH-CdTe/CdSQDs熒光的可逆調控,利用熒光光譜、紫外-可見吸收光譜和共振瑞利散射光譜研究了hsDNA與LMFH-Cu(Ⅱ)配合物的相互作用.通過對比GSH-CdTe/CdSQDs與LMFH相互作用的光譜性質,

圖2為GSH-CdTe/CdSQDs的透射電子顯微鏡圖片.可見，所合成的GSH-CdTe/CdSQDs分散性較好，尺寸均--,顆粒粒徑約為3nm.

由圖3(A)可見，譜線a為GSH-CdTe/CdSQDs的紫外-可見吸收光譜，

其它量子點定制產品目錄：

PEG包覆CuInS2熒光量子點

PEG包裹ZnTe熒光量子點

PEG包裹碳化硅(SiC)量子點熒光材料

PEG修飾ZnO氧化鋅量子點

PEG修飾硅量子點(PEG-Si QDs)

PEG修飾g?C3N4量子點

PEG修飾InP量子點

PEG修飾的黑磷量子點

硫化鉍PEG修飾Bi2S3量子點

PEG-NH2修飾CdSe/ZnS 量子點

PEG-COOH修飾CdSe/ZnS 量子點

PEG修飾黑磷量子點

PEG-NH2修飾CdSe/ZnS 量子點（520nm）

PEG-COOH修飾CdSe/ZnS 量子點（520nm）

PEG-NH2修飾CdSe/ZnS 量子點（525nm）

PEG-NH2修飾InP/ZnS量子點

PEG3-SH偶聯到CdSe量子點

PLA-PEG修飾黑磷量子點

PEG-COOH修飾水溶性CdS量子點（570nm）

PEG-COOH修飾水溶性InP/ZnS量子點（520nm）

PEG-NH2修飾CdSe/ZnS 量子點（600nm）

羧基-PEG（2K）-氨基-水溶性量子點（CdSe/ZnS,605nm)

羧基-PEG（1K）-氨基-水溶性量子點（CdSe/ZnS,605nm)

葉酸修飾聚乙二醇負載硫化亞錫量子點

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.05.09

以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體。