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氧化鎂MgO晶體基片用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜等
發(fā)布時間:2022-04-28     作者:axc   分享到:

氧化鎂MgO晶體基片用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜等

氧化鎂(MgO)單晶基片應(yīng)用在多個薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2"及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

主要性能參數(shù)

生長方法弧熔法

晶體結(jié)構(gòu)立方

晶格常數(shù)p;a=4.130? 

熔點(℃):2800

純度:99.95%

密度(g/cm3):3.58

硬度:5.5(mohs)

熱膨脹系數(shù)(/℃):11.2x10-6

晶體解理面<100>

光學(xué)透過:>90%(200~400nm),>98%(500~1000nm)

介電常數(shù):ε=9.65

尺寸:10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

厚度:0.5mm,1.0mm

拋光:單面或雙面

晶向:<001>±0.5o

晶面定向精度:±0.5°

邊緣定向精度:2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))

斜切晶片:可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片

氧化鎂MgO晶體基片

主要特點

 由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2英吋及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。

主要用途

用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。


以上資料來自小編axc,2022.04.20

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體。


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