具有高開(kāi)/關(guān)比和光響應(yīng)性的鐵電門控InSe光電探測(cè)器

硒化銦（InSe）具有高電子遷移率和可調(diào)節(jié)的直接帶隙，使其有可能應(yīng)用于電子和光電設(shè)備。使用鐵電聚（偏二氟乙烯-三氟乙烯）（P（VDF-TrFE））共聚物膜作為頂柵電介質(zhì)，制造了具有高開(kāi)/關(guān)比和超高光響應(yīng)性的InSe光電探測(cè)器。

1）通過(guò)調(diào)節(jié)鐵電P（VDF-TrFE）共聚物膜中的三種不同的偏振態(tài)，InSe光電探測(cè)器中的暗電流被成功**至?10-14A。

2）同時(shí)，使用六方氮化硼（h-BN）作為基底，以改善絕緣基底與InSe溝道之間的界面。結(jié)果，獲得服軟鐵電共聚物門控的InSe光電探測(cè)器不僅顯示出超過(guò)108的高開(kāi)/關(guān)比，而且即使在極化狀態(tài)沒(méi)有柵極電壓的情況下，也能顯示高達(dá)14250 AW-1的高光響應(yīng)性和高達(dá)1.63×1013 Jones的檢測(cè)率。此外，測(cè)得的光電流的上升時(shí)間（tr）和下降時(shí)間（tf）分別為600μs和1.2 ms。

該工作報(bào)道的結(jié)果體現(xiàn)了鐵電P（VDF-TrFE）在調(diào)節(jié)InSe載流子傳輸中的作用，并可能為基于InSe的光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)提供一條途徑。

產(chǎn)品說(shuō)明：

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溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體