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Cu2Se插層材料納米片陣列儲鈉性能研究
發布時間：2020-09-01     作者：harry   分享到：
插層材料隨著二維材料研究，而再次吸引了人們的廣泛關注。調節插層劑和插層工藝可**調控材料在相變、超導、催化、儲能等方面的應用。在電化學儲能領域，插層材料，通過插層劑來改變層間距，從而可以**降低離子在電化學反應過程中擴散能壘，可實現提高材料倍率性能。但對于插層材料在**可控插層技術與合成工藝方面依然存在挑戰。




中國科學院金屬研究所李峰研究員團隊聯合鄭州輕工業大學方少明教授團隊等采用綠色室溫插層合成技術，在銅箔表面生長了**的單斜Cu2Se插層納米片陣列。將該材料應用于儲鈉中，可獲得較高的倍率與循環穩定性能。金屬硒化物 (MxSey) 具有較硫化物更高的電導率和晶格體積，在鈉離子電池應用中具有一定的潛力。而直接生長在作為集流體銅表面上的納米片陣列，存在定向通道將有助于電解質離子快速傳輸，并減少導電劑和粘結劑使用。作為插層劑CTAB，進入層狀Cu2Se可進一步擴大層間距，進一步降低離子傳輸阻力，并**緩沖電化學過程中的體積形變。同時 CTAB也一定程度上，減緩了多硒化物穿梭效應與Cu納米粒子的生長速率。這種結合層間距調控和納米片陣列的策略將有助于新材料探索，并為相關的研究提供新的思路。相關結果發表在Advanced Energy Materials (DOI：10.1002/aenm.202000666)上。



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