tb -酞菁(TbPc2)薄膜生長在25°C和150°C的玻璃襯底上。

測量并分析了TbPc2薄膜磁滯回線的溫度依賴性。在25℃下生長的TbPc2薄膜的面外磁滯環(huán)和面內(nèi)磁滯環(huán)幾乎重疊，表明薄膜基本為磁各向同性。

相比之下，150℃生長的TbPc2薄膜表現(xiàn)出較強(qiáng)的磁各向異性，其在30 kOe時(shí)的面外磁矩比2?K時(shí)的面內(nèi)磁矩大13%左右。

為了探討分子堆疊結(jié)構(gòu)與TbPc2薄膜磁性能之間的相互關(guān)系，采用x射線衍射儀和掠射廣角x射線散射對TbPc2薄膜的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。

結(jié)果表明，25℃生長的TbPc2薄膜幾乎是無定形的。而在150℃下生長的TbPc2薄膜則呈現(xiàn)出清晰的晶體織構(gòu)。

從理論上分析了分子取向與磁性能之間的關(guān)系。

考慮TbPc2分子的磁性各向異性軸，以及兩種薄膜的面外磁環(huán)和面內(nèi)磁環(huán)，可以得出TbPc2分子在150°C玻璃基板上傾向于平鋪靠近基板表面。

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