通過密度泛函理論(DFT)計算，探討了(Mg, S)共摻雜金紅石SnO2的電子結構和導電機理。

結果表明，在SnO2中，受主金屬Mg輔助S與鄰近的O的耦合，為SnO2的禁帶引入了新的能級，從而改善了SnO2的光電性能。基于這一結果，我們提出了一種將DFT計算與實驗相結合的綜合策略來研究水熱法制備的(Mg, S)共摻雜SnO2的光電性能。

采用導電玻璃(FTO)制備(Mg, S)共摻雜二氧化錫電極。掃描電鏡、x射線衍射、x射線光電子能譜和紫外-可見漫反射光譜結果證實，SnO2細胞中存在Mg和S元素的摻入。

此外，光電性能測試表明(Mg, S)共摻雜可以提高光電性能。

當共摻雜比例為5%時，光電流**(0.50?μA/cm2)，阻抗最小。

因此，(Mg, S)共摻雜的SnO2是光電催化的有力候選材料。

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