光電材料|用于紅外光電探測的柱狀te摻雜pbse玻璃薄膜
采用射頻磁控濺射技術,在不同濺射功率下,在非晶玻璃襯底上制備了柱狀結構的te摻雜pbse薄膜。
研究了濺射功率對薄膜結構和光電性能的影響。隨著濺射功率從60?W增加到140?W,薄膜的擇優取向從(200)轉移到(111)。
光學表征表明,在近紅外和中紅外區吸收是**的。
光電測試結果表明,碲摻雜pbse薄膜在紅外光照射下具有快速穩定的光響應。
基于該薄膜的光敏電阻器件在反復的紅外光開、關循環下表現出良好的靈敏度。
薄膜的電阻變化率超過13%,較高的濺射功率產生較好的靈敏度。
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