利用剝離的SnS2片制備了SnS2場效應晶體管(FET)。

詳細研究了真空退火和硫蒸汽退火對SnS2 FET電學和光電子性能的影響。

實驗結果表明，退火后，尤其是硫蒸汽退火對SnS2 FET的電學和光電性能有很大的影響。

源漏電流隨退火的減小、閾值電壓的漂移以及光電流隨光強變化的指數函數都與SnS2的表面狀態密切相關。

與硫空位相關的圈閉機制可以很好地解釋這些有趣的特征。

這些結果不僅促進了目前對二維材料中光激發載流子的產生、捕獲和復合行為的理解，而且激發了在基于SnS2的光電器件中的潛在應用。

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