用**性原理計算研究了Sb-N共摻雜SnO2的電子結構。結果表明，Sb(施主)和N(受體)在SnO2的能帶中引入了新的能級，使SnO2的能帶隙明顯減小。

此外，由于Sb和n的電荷補償作用，提高了系統的載流子分離率，從而提高了SnO2的光電性能。根據理論計算結果，采用水熱法制備了本征態和不同比例的Sb-N共摻雜SnO2。

采用x射線粉末衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和x射線光電子能譜(XPS)對樣品進行了表征。對所制備的本征電極和Sb-N共摻雜SnO2電極的光電性能進行了研究。

結果表明，樣品均為金紅石相，摻雜劑Sb和N取代Sn和o進入SnO2晶格，5%共摻雜樣品具有均勻的球形和分散性。光電性能測試表明，Sb-N共摻雜增強了SnO2的光電性能。

當摻雜比例為5%時，光電流值達到**值(9?μA/cm2)，電化學阻抗最小。理論計算和實驗結果表明，Sb-N共摻雜SnO2具有**的光電性能。

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