簡單的溶劑熱法合成了不同Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs復合材料。

介紹了Zn/Cd比和N-GQDs對ZnxCd1-xS/N-GQDs性能的影響。

結果表明，通過調節Zn/Cd比例可以調節復合材料的晶體結構和光電性能。隨著Zn含量的增加，ZnxCd1-xS/N-GQDs復合材料由六方結構轉變為立方結構，衍射峰位于六方相CdS和立方相ZnS之間。

同時，通過調節Zn/Cd比值，光電流響應和電化學阻抗具有良好的可調性。

Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs復合材料具有較高的光電流值3.79?μA?cm?2和較低的界面阻抗，優于其他Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs復合材料。

此外，N-GQDs的引入明顯提高了半導體的光電性能。

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