構建了光電材料g-ZnO/α-CNH van der Waals （vdW）異質結構。

基于**性原理計算，研究了光電材料g-ZnO/α-CNH異質結構的電子和光學性質。

該異質結構呈現ii型能帶排列，在Γ點有方向帶隙（1.75 eV），有利于電子空穴對的**分離，延長載流子的壽命。

此外，光電材料g-ZnO/α-CNH異質結界面處存在明顯的電荷轉移，打破了α-CNH的各向異性，進一步提高了可見光范圍內的光學吸收。zno /α-CNH異質結構具有合適的直接帶隙、界面上明顯的電荷轉移和無毒元素，表明其異質結構在可再生能源和光電器件中具有潛在的環保應用前景。

我們的工作也從電荷分布的角度解決了異質結的各向異性或各向同性問題，

并表明打破材料的各向異性可以改善材料的光電性能。該工作為光電器件的設計提供了有價值的參考。

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