光電材料|Tm摻雜對In2S3量子點發光、光電性能和電子結構的影響
摻雜是調節半導體納米材料性能的一種**方法。
特別是稀土離子摻雜因其**的光學性能而受到越來越多的關注。
然而,具有光電子結構可控的硫化銦光電材料(In2S3)量子點(QDs)的設計和合成仍然是一個挑戰。
本文采用氣液化學沉積法合成了摻銩的In2S3量子點。
In2S3: Tm QDs的熒光強度有很大的增強,這可以通過調節Tm3+離子的摻雜濃度來控制。
研究了In2S3: Tm量子點的光電材料特性,結果表明,In2S3: Tm量子點具有較高的光靈敏度、較短的響應/恢復時間和較長的穩定性。
此外,根據**性原理計算,In2S3: Tm量子點光電材料結構的變化和光學性質的增強主要歸因于Tm3+離子的摻雜。
合成的In2S3量子點具有良好的發光性能和光電性能,有望在光伏、光電和傳感器等領域得到廣泛的應用。
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