研究了過渡金屬原子修飾缺陷石墨烯與原始石墨烯相比增強量子電容的適用性。

基于密度泛函理論的計算結果發(fā)現，Mn、Fe、Co和Ni傾向于平面內構型，而Sc、Ti、V和Cr傾向于功能化石墨烯的平面外構型。

預測卟啉功能化石墨烯的量子電容**增加，峰值為149μF/cm2。

過渡金屬原子的修飾導致除Sc和Fe外的量子電容降低，我們預測Sc和Fe的電容分別為177μF/cm2和220μF/cm2。

結果表明，金屬修飾功能化石墨烯在費米能級附近的三維態(tài)的局域化程度基本上控制了其量子電容的大小。

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