在半導體薄膜上制備均勻、完整的納米結構是緩解半導體薄膜中常見的諸多電子缺陷的必要工藝。

本研究采用激光直接照射和二次濺射的方法在ITO薄膜上制備了具有良好光電性能的納米結構。

采用基于脈沖再生放大技術的Nd:YLF飛秒激光系統，波長為800 nm，重復頻率為1 kHz。

研究了不同掃描速度和激光誘導的周期性表面結構。在1.86 J cm?2、掃描速度1.1 mm s?1、掃描間距4.5 μm、聚焦激光光斑18.5 μm的條件下，獲得了大面積、均勻且損傷較小的納米結構。

透光率提高21%，片材電阻提高10倍以上。

通過二次濺射對一定厚度的ITO薄膜進行濺射以提高其導電性，并且可以**控制納米結構的高度。

在**納米結構高度為90 nm時，與未處理的ITO薄膜表面相比，薄膜的透光率提高了19%，片狀電阻減小到1.6倍以下。

這種制備納米結構的方法無需復雜的加工過程和昂貴的成本，可大大提高光電性能，具有廣泛的工業應用前景。

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