光電材料|利用H+、He+和N+離子束注入改性新型光電材料GaN
后向散射光譜法和溝道法研究了氮化鎵的結構和晶體質量。采用金屬-有機氣相外延法在藍寶石上生長。將不同離子能量和劑量的H+、He+、N+注入GaN中。對植入后退火進行了研究。通過霍爾測量，我們發現特定溫度退火后電阻率增加了7-8個數量級，H+、He+和N+的優化退火溫度分別約為200-400℃。即使在600-700℃退火后，電阻率仍然很高。我們認為，氮化鎵樣品的電阻率變化是由空位和植入的放射性損傷引起的。
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西安齊岳生物科技有限公司是國內光電材料，納米材料，聚合物；化學試劑供應商；**于科研試劑的研發生產銷售。供應有機發光材料（聚集誘導發光材料）和發光探針（磷脂探針和酶探針）、碳量子點、金屬納米簇；嵌段共聚物等一系列產品。sjl2022/01/19
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