**對(duì)純SnO2和(C, S)共摻雜SnO2的幾何特性和電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論計(jì)算，然后進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)量。通過x射線粉末衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和x射線光電子能譜(XPS)對(duì)(C, S)共摻雜的SnO2進(jìn)行了表征。并對(duì)制備的純SnO2電極和(C, S)共摻雜SnO2電極的光電性能進(jìn)行了研究。理論計(jì)算結(jié)果表明，碳原子和硫原子之間通過晶格畸變產(chǎn)生強(qiáng)烈的相互作用。在價(jià)帶頂部引入完全填充的能級(jí)，**地降低了帶隙值，**了帶電缺陷。從而提高了SnO2的光電性能。此外，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，所有樣品均為金紅石相，摻雜碳和硫通過取代氧進(jìn)入SnO2晶體。5%共摻雜樣品具有最均勻的球形和分散性，光電流值**(6.8?μA/cm2)，電化學(xué)阻抗最小。理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，(C, S)共摻雜SnO2具有**的光電性能。雙孔輔助耦合的摻雜方法有助于高活性氧化錫基光電材料的設(shè)計(jì)，也為其他同類材料的修飾鋪平了道路。

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