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光電材料|利用H+、He+和N+離子束注入改性新型光電材料GaN

發布時間：2022-01-17 作者：光電材料分享到：

采用盧瑟福后向散射光譜法和溝道法研究了氮化鎵的結構和晶體質量。

采用金屬-有機氣相外延法在藍寶石上生長。將不同離子能量和劑量的H+、He+、N+注入GaN中。

對植入后退火進行了研究。通過霍爾測量，我們發現特定溫度退火后電阻率增加了7-8個數量級，H+、He+和N+的優化退火溫度分別約為200-400℃。

即使在600-700℃退火后，電阻率仍然很高。

我們認為，氮化鎵樣品的電阻率變化是由空位和植入的放射性損傷引起的。

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