在發光MOFs中產生的缺陷允許對熒光特性進行操作，從而提高了技術應用的檢測性能。

在此基礎上，提出了一種調制器誘導缺陷形成策略，將缺失鏈接缺陷引入到鑭系金屬有機骨架(Eu@UiO-MOFs)中，并對其增強的檢測性能進行了研究。

值得注意的是，我們計算了每個Zr6聚類中的缺失鏈接子數量，以便于比較和定量解釋。

通過精心定制缺陷數量，每Zr-O簇缺失0.53個鏈接的Eu@UiO-MOFs-2傳感器的響應斜率**增強，

在0-10 ppm范圍內實現了良好的痕量檢測，超低檢測限為5.67 × 10?7 M (114 ppb)。作為一個強有力的信號放大器，用于Cd2+的痕量檢測。

此外，還研究了Eu@UiO-MOFs-X的結構變化與缺陷數之間的關系，以了解改進的富集對光學行為的積極影響。

據我們所知，這是首次在光學傳感調控的發光MOFs中進行缺失鏈接器缺陷的實驗演示，為探索**檢測重金屬離子污染物的創新技術提供了獨特的途徑。

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