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MR-TADF材料TBN-TPA,BN摻雜化合物B2-B4,藍(lán)色發(fā)射體v-DABNA的研究進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2022-01-15     作者:zhn   分享到:

MR-TADF材料TBN-TPA,BN摻雜化合物B2-B4,藍(lán)色發(fā)射體v-DABNA的研究進(jìn)展

三重態(tài)到相應(yīng)的單重態(tài)的轉(zhuǎn)換是一個(gè)熱激活過(guò)程。因此,TADF分子通常具有較小的固有S1–T1能量差(ΔE)38。因此,強(qiáng)耦合區(qū)S1–T1能級(jí)反轉(zhuǎn)的可能性取決于耦合強(qiáng)度和ΔE之間的相互作用(圖1a)。在光學(xué)腔中,光與有機(jī)分子的Frank–Condon態(tài)的耦合大小與與耦合態(tài)的躍遷偶極矩和分子濃度的平方根成正比。在本研究中,使用原始分子膜來(lái)**化分子濃度,從而提高光-物質(zhì)耦合強(qiáng)度。此外,需要一個(gè)小的斯托克斯位移,因?yàn)樗砻鲝腇rank-Condon態(tài)到弛豫的**激發(fā)單線(xiàn)態(tài)的能量弛豫很小。根據(jù)五種TADF分子反轉(zhuǎn)其三重態(tài)單線(xiàn)態(tài)能級(jí)的潛力對(duì)其進(jìn)行評(píng)估:3DPyM-pDTC39、DABNA-1、DABNA-240、TBN-TPA和二氟化硼類(lèi)姜黃素衍生物(結(jié)構(gòu)補(bǔ)充圖1和合成補(bǔ)充注釋1)。DABNA-2被認(rèn)為是ΔE與耦合強(qiáng)度之間的**折衷方案,這歸因于其大的吸收系數(shù)、小的斯托克斯位移和明確的吸收包絡(luò)(見(jiàn)“方法”部分,補(bǔ)充圖2-4和補(bǔ)充表1)。圖1b顯示了純DABNA-2薄膜的吸收、快速和延遲發(fā)射。77℃門(mén)控發(fā)射?K在較長(zhǎng)波長(zhǎng)(~515)下表現(xiàn)出微弱的殘余熒光和磷光?納米)。長(zhǎng)壽命熒光是RISC通過(guò)熱激活從激發(fā)的三重態(tài)到單重態(tài)的結(jié)果。因此,通過(guò)觀察這兩個(gè)過(guò)程的溫度依賴(lài)性,可以將它們區(qū)分開(kāi)來(lái)。從這些測(cè)量中得出的ΔE值為123?meV,這與之前對(duì)1的研究一致?薄膜的重量百分比(140?(meV)40。稍后我們將展示,小的延遲熒光轉(zhuǎn)移到較低的能量,因此當(dāng)分子與光腔強(qiáng)耦合時(shí),熒光大大增強(qiáng)。

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報(bào)道了5種藍(lán)色發(fā)光化合物DABNA-1和DABNA-2(λPL分別為460和469 nm),在1 wt%的mCBP中,分別顯示88%和90%的非常高的ΦPL。這些發(fā)射器被集成到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中,其顯示出非常好的**外部量子效率(EQEmax),分別為13.2%和20.2%。盡管OLED顯示出非常大的效率衰減,并且沒(méi)有達(dá)到1000 cd m的亮度?盡管如此,DABNA-2仍然是**報(bào)告的最**的深藍(lán)色發(fā)射器之一,其坐標(biāo)為(0.12,0.13)。DABNA-1,C3對(duì)稱(chēng)導(dǎo)數(shù)TABNA(命名為2,為清晰起見(jiàn)重命名)同樣顯示出0.21 eV的類(lèi)似小ΔEST,以及1 wt%PMMA薄膜中54%的合理ΦPL;然而,發(fā)射中不希望的藍(lán)移(λPL=399 nm)再次導(dǎo)致沒(méi)有制造器件。超越了簡(jiǎn)單的軌道圖,我們基于自旋分量標(biāo)度二階近似耦合團(tuán)簇(SCS-CC2)理論水平上的高度相關(guān)量子化學(xué)計(jì)算,證明了DABNA-1TABNA在T1和S1激發(fā)態(tài)都顯示出短程電荷轉(zhuǎn)移,在保持空穴波函數(shù)和電子波函數(shù)之間必要的重疊以保證較大的振蕩器強(qiáng)度f(wàn)的同時(shí),產(chǎn)生較小的ΔEST,這解釋了觀察到的較高ΦPL.3。image.png

設(shè)計(jì)的下一次迭代涉及引入供體咔唑衍生物并溶解DABNA-1(TBN-TPA)骨架周?chē)氖宥』?。添加叔丁基咔唑單元不?huì)對(duì)多共振機(jī)制產(chǎn)生不利影響,HOMO/LUMO密度仍局限于DABNA-1巖芯,在470 nm處僅觀察到輕微紅移(DABNA-1的λPL=460 nm),加上甲苯中98%的ΦPL增強(qiáng)(CH2Cl2中DABNA-1的ΦPL=89%)。使用TBN-TPA的OLED顯示了32.1%的優(yōu)良EQEmax,并且還改善了效率衰減。

最近提出了另一種提**率的方法,其中DABNA-1的叔丁基類(lèi)似物t-DABNA(λPL=445)與輔助TADF摻雜劑DMAC-DPS一起使用。與沒(méi)有輔助摻雜的OLED相比,在輔助摻雜器件中觀察到10個(gè)EQEmax值從25.1%提高到31.4%。在100 cd m處的EQE處,也觀察到**提高的效率滾降?與未使用輔助摻雜劑的裝置中的76%相比,輔助摻雜劑裝置中的2僅減少了13%。最近報(bào)道了一種用周邊二苯胺(v-DABNA)修飾的含B/N的五苯。報(bào)告中的深藍(lán)色設(shè)備在100 cd m時(shí)表現(xiàn)出出色的EQEmax和**的滾降效率?CIE為(0.12,0.11)時(shí),分別為34.4%和5%(EQE100=32.8%)。

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DABNA-1,DABNA-2,t-DABNA,v-DABNA

三元藍(lán)光TADF材料x(chóng)tBCznPO3-nTPTZ和tBCzPO2TPTZ,ptBCzPO2 TPTZ

綠色TADF材料POSO2-Ph-ACR

2,7-DACR-POSO2材料

3,7-DACR-POSO2

基于三苯胺,螺(芴-9,9'-氧雜蒽)及芴的星射形寡聚物.三種寡聚物(TPA-F,TPA-SFX和TPA-SFXCz)

基于螺芴氧雜蒽的電子受體材料(CNSFDBX和DCNSFDBX)

2-(2-吡啶基)-9,9-螺-氧雜蒽芴(PySFX)和9-羥基-9-(2-吡啶基)芴(PyFOH)

基于螺[芴9,9'氧雜蒽]核的空穴傳輸材料SFXFM和SFXFP

10-(2-螺-9,9′-氧雜蒽芴基)吩噻嗪(SFXPz)

螺[芴-9,9′-氧雜蒽]基三聚物(TriSFX)

螺芴氧雜蒽衍生物PF-SFX、C8OPF-SFX、C8OPF-SFX-C8OPF和4C8OPF-SFX

螺二芴衍生物材料:2-(9-苯基芴基)-9,9′螺二芴(PF-SBF)

螺芴-9,9′-氧雜葸基三聚物(TriSFX)

溫馨提示:僅用于科研

小編zhn2022.01.15




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