采用**性原理計算與實驗測量相結合的綜合策略，研究了(C, S)共摻雜SnO2的光電性能。

**對純SnO2和(C, S)共摻雜SnO2的幾何特性和電子結構進行理論計算，然后進行實驗測量。

通過x射線粉末衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和x射線光電子能譜(XPS)對(C, S)共摻雜的SnO2進行了表征。

并對制備的純SnO2電極和(C, S)共摻雜SnO2電極的光電性能進行了研究。

理論計算結果表明，碳原子和硫原子之間通過晶格畸變產生強烈的相互作用。

在價帶頂部引入完全填充的能級，**地降低了帶隙值，**了帶電缺陷。

從而提高了SnO2的光電性能。

此外，實驗結果表明，所有樣品均為金紅石相，摻雜碳和硫通過取代氧進入SnO2晶體。

5%共摻雜樣品具有最均勻的球形和分散性，光電流值**(6.8?μA/cm2)，電化學阻抗最小。

理論計算和實驗結果表明，(C, S)共摻雜SnO2具有**的光電性能。

雙孔輔助耦合的摻雜方法有助于高活性氧化錫基光電材料的設計，也為其他同類材料的修飾鋪平了道路。

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