本文對近距離升華法(CSS)生長的CdZnTe多晶薄膜進行了化學(xué)拋光。

采用能譜儀(EDS)、原子力顯微鏡(AFM)、拉曼光譜(Raman)、電流-電壓(I-V)特性和電流-時間(I-T)測試了溴化甲醇腐蝕溶液(CH3OH:Br2 = 50:1.5)的腐蝕時間對結(jié)構(gòu)的影響。

CdZnTe多晶薄膜的表面形貌和光電性能。

結(jié)果表明，適當?shù)幕瘜W(xué)拋光時間可以降低CdZnTe薄膜的表面粗糙度、表面缺陷和漏電流。

改善CdZnTe薄膜的光電性能。

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