用水熱法，在不同濃度的F?摻雜條件下，在Cu襯底上沉積了F-摻雜的光電材料Cu2O薄膜。

采用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)、形貌、組成和禁帶帶寬進(jìn)行了表征。

并對(duì)其光電特性、電容電壓特性和交流阻抗特性進(jìn)行了研究。未摻雜和f摻雜的Cu2O薄膜均為p型半導(dǎo)體。

當(dāng)F?摻雜濃度為0.002 mol/L時(shí)，擇優(yōu)生長(zhǎng)表面為(110)、(111)和(200)，且(111)面結(jié)晶度**。摻雜后的Cu2O晶粒尺寸相對(duì)均勻。F元素的質(zhì)量百分比為0.34%，禁帶帶寬從1.96 eV降低到1.91 eV。

光電壓和光電流密度分別增加到0.4457 V和2.79 mA/cm2。載流子濃度從4.55 × 1018 cm?3增加到2.58 × 1022 cm?3。

光下電阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。采用水熱法，在不同濃度的F?摻雜條件下，在Cu襯底上沉積了F-摻雜的光電材料Cu2O薄膜。

采用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)、形貌、組成和禁帶帶寬進(jìn)行了表征。

并對(duì)其光電特性、電容電壓特性和交流阻抗特性進(jìn)行了研究。未摻雜和f摻雜的Cu2O薄膜均為p型半導(dǎo)體。

當(dāng)F?摻雜濃度為0.002 mol/L時(shí)，擇優(yōu)生長(zhǎng)表面為(110)、(111)和(200)，且(111)面結(jié)晶度**。摻雜后的Cu2O晶粒尺寸相對(duì)均勻。

F元素的質(zhì)量百分比為0.34%，禁帶帶寬從1.96 eV降低到1.91 eV。光電壓和光電流密度分別增加到0.4457 V和2.79 mA/cm2。

載流子濃度從4.55 × 1018 cm?3增加到2.58 × 1022 cm?3。光下電阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。

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